国产光刻机再迎双重突破！成熟制程量产落地，新型技术路线实现商用交付

2026年6月，我国半导体光刻领域迎来密集重磅突破，既有成熟制程光刻机的规模化量产落地，也有全新技术路线设备的商用交付，补齐国产芯片制造产业链短板，为半导体自主可控开展注入强劲动力，打破海外设备长期垄断格局。

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近期，璞璘科技自主研发的PL-AS真空气压式纳米压印光刻机正式向深圳力策科技交付，这是国内首款专为光芯片打造的半导体级纳米压印光刻设备，标志着我国成功开辟出区别于传统DUV、EUV的全新光刻技术赛道，实现差异化技术突围。该设备创新性绕开传统深紫外光刻技术路线，攻克真空压印、精密对位、纳米级图形转移等核心技术，可稳定适配光芯片量产需求，大幅降低高端光电子芯片制造成本，相较传统光刻设备生产成本大幅缩减，性价比优势显著。

在主流半导体芯片制造领域，国产光刻机产业化进程也取得实质性飞跃。据行业公开信息显示，上海微电子SSA800系列28纳米浸没式DUV光刻机已完成批量交付，正式入驻国内主流晶圆厂召开量产工艺验证。该设备是我国成熟制程芯片制造的核心装备，整机核心部件国产化率突破85%，光源、双工件台、精密物镜等长期被海外“卡脖子”的核心组件，均实现完全自主研发与量产替代。经过多轮工艺优化，设备量产良率稳定在90%至95%，套刻精度达到±2.5纳米，各项核心性能指标均达到国际商用标准，可满足28纳米及以上成熟制程芯片的规模化、稳定化生产需求。

长期以来，光刻机是制约我国半导体产业自主开展的关键瓶颈，高端光刻设备和核心技术长期依赖进口，不仅推高国内芯片制造成本，也让国内半导体产业链面临外部技术封锁和供应链波动风险。28纳米成熟制程是消费电子、工业控制、汽车电子、物联网等领域芯片的核心制程，市场需求庞大。此次国产28纳米DUV光刻机批量落地，意味着我国彻底实现成熟制程芯片制造设备自主可控，有效保障国内中低端芯片产能安全，缓解国内芯片产能紧缺问题。

与此同时，纳米压印光刻机的商用交付，填补了国内光芯片专用光刻设备的空白。光芯片是5G通信、光纤传感、人工智能光电设备的核心元器件，此前相关生产设备高度依赖进口。全新纳米压印技术路线的落地，不仅丰富了我国光刻技术体系，更为高端光电子芯片国产化、光电产业升级给予了核心设备支撑，形成“传统制程突围、新型赛道领跑”的双向开展格局。

产业链配套层面，国内光刻上下游企业同步实现突破。福晶科技研发的非线性光学晶体，全球市场占有率达70%，成功切入高端光刻机供应链，打破海外材料垄断，为国产光刻机持续迭代升级筑牢材料基础。现在，我国光刻产业已形成“设备研发、核心部件、关键材料、量产应用”的完整本土产业链体系。

行业专家表示，此次双重突破是我国半导体光刻技术产业化的重要里程碑。成熟制程光刻机规模化落地，守住了国内芯片产业的基本盘；差异化技术路线的突破，为后续高端光刻技术迭代积累了宝贵的工艺、量产和产业链经验。未来随着技术持续优化、良率稳步提升，国产光刻机将逐步覆盖更多制程场景，持续降低国内芯片产业对外依存度，助力我国从芯片制造大国向制造强国稳步迈进。